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传台积电N3E进展顺利,或提前一个季度量产

发布时间:2022-03-05 12:45|栏目: 欧博信息 |浏览次数:

台积电(TSMC)目前正在N3制程节点上开发多个工艺,包括了N3、N3B和N3E。去年台积电总裁魏哲家表示,N3制程节点仍使用FinFET晶体管的结构,推出的时候将成为业界最先进的PPA和晶体管技术,同时也会是台积电另一个大规模量产且持久的制程节点。


据TechPowerup报道,近期摩根士丹利的报告指,在N3基础上扩展的N3E已提前准备好了,工艺流程可能会在这个月底确定。台积电原计划在2022年下半年量产N3制程节点,N3E作为3nm工艺中的简化版本,量产时间为2023年下半年。由于N3E测试生产的时候良品率较高,台积电希望能更早地实现商业化,可能会提前到2023年第二季度。


据了解,N3E在N3基础上减少了EUV光罩层数,从25层减少到21层,逻辑密度低了8%,但仍然比N5制程节点要高出60%。此外,N3E的良品率也高于N3B,后者传言是针对某些客户使用而开发的N3改进版本,不过目前缺乏相关信息。无论N3E还是N3B,都不是用于取代N3,只是让客户有更多的选择,在不同产品上有更好的性能和功耗表现。


芯片测试设备制造商Teradyne表示,2023年对3nm芯片的需求会有明显的增长,虽然像苹果这样的公司最早在2023年初就能得到首批3nm芯片,但其他厂商最快可能在2023年下半年就能跟进。


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